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型号 IPB80N06S3-07
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
IPB80N06S3-07 PDF
代理商 IPB80N06S3-07
产品变化通告 Product Discontinuation 22/Jul/2010
标准包装 1,000
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 6.5 毫欧 @ 51A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 80µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 170nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 7768pF @ 25V
功率 - 最大 135W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 IPB80N06S307XT
SP000088065
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